特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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美光发布业界最高密度GDDR7显存：性能大幅提升，能效优化显著

北京，2024年6月18日 - 全球领先的存储解决方案提供商美光今日宣布，成功开发出新一代GDDR7显存，并已开始向客户提供样品。该款显存采用全新的1β（1-beta）DRAM技术和创新架构设计，在性能、能效和位密度方面均取得了突破性进展。

性能大幅提升

美光GDDR7显存速率高达32Gbps，相比上一代GDDR6提升了60%，显存带宽达到惊人的1.5TB/s，是目前业界最高水平。得益于更快的速度和更高的带宽，搭载GDDR7显存的显卡在游戏、人工智能等应用场景中将获得显著性能提升。

能效优化显著

美光GDDR7显存不仅性能强劲，而且能效表现也十分出色。与GDDR6相比，其功耗降低了50%以上，在散热性能方面也有所改善，并延长了电池寿命。此外，新的睡眠模式还能够将待机功耗降低70%。

位密度业内最高

美光GDDR7显存采用全新的1β DRAM技术，使得存储单元面积缩小了30%，位密度达到业界最高水平。这意味着在相同尺寸的芯片上可以集成更多存储颗粒，从而显著提升内存容量。

推动行业发展

美光GDDR7显存的发布，标志着显存技术进入了新时代。该款显存的卓越性能和能效表现，将助力下一代图形处理器和人工智能应用的性能突破，为用户带来更加极致的视觉体验和更加智能化的应用体验。

关于美光

美光科技公司致力于为全球提供创新的存储解决方案。我们运用领先的技术和专业知识，开发、制造和销售各种高性能存储产品，包括DRAM、NAND闪存和3D XPoint™内存。美光产品的广泛应用于笔记本电脑、智能手机、数据中心、服务器和固态硬盘等领域。美光科技公司致力于为客户提供卓越的产品和服务，并不断推动存储技术的创新和发展。

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